1、硅粒：半导体硅片上沾附的硅料吸附很牢固，一般采用氢氟酸处理，当把半导体硅片上的二氧化硅氧化膜去除时即可把硅粒也同时去除。为获得好的清洗效果常伴随使用多种物理方法清洗，如研磨、高压水喷射、兆赫、超声波处理等，其他溶解硅粒的化学溶剂还有胆碱以及含有表面活性剂的过氧化氢溶液等。
2、油脂等有机污垢：用NH3.H2O-H2O2和H2SO4-H2O2组成的强氧化性溶液去除这类污垢最有效。油脂污垢也可用甲苯、丙酮、酒精等有机溶剂清洗，也可以用干式清洗如氧气的等离子体、紫外线/臭氧并用法去除它。
3、无机离子：研究表明用100℃沸腾的超纯水去除硅片表面的Na+离子效果最好。其中高温的作用是重要的。铜离子用19%盐酸清洗—超声波水洗—70%硝酸水溶液清洗的工艺清洗效果最好。铁离子用38%浓盐酸和49%HF的清除效果较好。
去除金属离子用90℃的H2O2-HCL混合洗液去除效果最好。在阴离子中以F-离子去除有很好效果。
研究表明用NH4OH、H2O2、H2O（1：1：5）组成的碱性氧化性洗液和由HCL、H2O2、H2O（1：1：5）组成的酸性氧化性洗液对上述污垢都有很好去除效果。
因此这两种试剂已成为半导体硅片最常用的洗涤剂。
